三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。

第三代10nm级工艺即1z nm(在内存制造中,用x/y/z指代际,工艺区间是10~20nm),整合了EUV极紫外光刻技术,单芯片容量8Gb(1GB)。

三星表示,1z nm是业内目前最顶尖的工艺,生产效率较1y nm提升了20%,可以更好地满足日益增长的市场需求。

量产时间敲定在今年下半年,成品的8GB DDR4模组也在验证中,目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。

三星还表示,将在平泽市(Pyeongtaek)提高DRAM芯片的产能,同时上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。

不过,就在昨天(3月20日),三星电子联席CEO金基南(Kim Ki-nam)还指出,由于智能机市场增长乏力,数据中心公司削减投资,公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。

原文来自:https://news.mydrivers.com/1/619/619979.htm

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